NVHL050N65S3HF-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:58mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有55A的連續(xù)漏極電流、650V的漏源擊穿電壓和58mΩ的導通電阻，柵源電壓范圍為-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關條件下表現(xiàn)出較低的開關損耗與導通損耗，同時具備良好的熱穩(wěn)定性。適用于高效率、高功率密度的電源轉換場合，可在緊湊型設計中實現(xiàn)優(yōu)異的電氣性能與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
