IMW65R050M2HXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備55A的連續漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻典型值為58mΩ，在柵源驅動電壓范圍-10V至@5V內穩定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高頻、高溫環境下展現出優異的開關性能與低導通損耗，適用于對效率和功率密度要求較高的電力轉換系統。其電氣參數組合使其在高電壓應用場景中具備良好的動態響應與熱穩定性。
