RJK5003DPD-00#J2-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為1300毫歐。器件適用于中等功率開關場景，能夠在較高電壓下穩定工作，其N溝道結構便于實現高效的低側開關配置。由于具備較高的耐壓能力與適中的導通損耗，適合用于電源轉換、電機驅動及各類電子負載控制等應用場合，滿足對電壓應力和電流承載有一定要求的電路設計需求。
