NTP110N65S3HF-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有30A的連續漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻典型值為94mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V內穩定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關應用中表現出較低的開關損耗與良好的熱穩定性，適用于對效率和功率密度有較高要求的電源轉換場景。其電氣參數組合使其能夠在高電壓、大電流條件下維持可靠運行，同時支持較寬的驅動電壓窗口，便于與多種控制電路兼容。
