ST8L65N044M9-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:44mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有70A的連續漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為44mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源、可再生能源轉換系統及大功率充電裝置等應用，有助于提升整體能效并簡化熱管理設計。
