IPL65R095CFD7AUMA1-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:37A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有37A的連續(xù)漏極電流、650V的漏源擊穿電壓和75mΩ的導(dǎo)通電阻，柵源驅(qū)動電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗，同時具備良好的熱穩(wěn)定性。適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、服務(wù)器電源、通信設(shè)備供電系統(tǒng)以及對體積和能效有嚴(yán)格要求的電力電子場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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