FCMT080N65S3-HXY_DFN8X8B_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:37A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
該N溝道碳化硅MOSFET具有37A的連續(xù)漏極電流、650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻為75mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-8V至@0V。基于碳化硅材料特性，器件在高頻工作時(shí)表現(xiàn)出優(yōu)異的開關(guān)速度與低損耗性能，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗，提升整體能效，并支持緊湊型電路布局與良好的熱管理。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
