IPA65R110CFDXKSA2-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:24A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:95mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和24A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為95mΩ，柵源電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，同時具有良好的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力。其低導(dǎo)通電阻有助于提升系統(tǒng)整體效率，適用于高功率密度的電源轉(zhuǎn)換及高頻逆變等場合，能夠滿足對能效和可靠性要求較高的電子系統(tǒng)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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