TK110A65Z,S4X_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:18A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有18A的連續(xù)漏極電流能力，漏源電壓額定值為650V，導(dǎo)通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件依托碳化硅材料的高擊穿電場與優(yōu)異熱導(dǎo)率，在高頻、高效率的電源拓?fù)渲斜憩F(xiàn)出低開關(guān)損耗和良好的熱穩(wěn)定性。適用于對體積、效率及動態(tài)性能有較高要求的電力電子系統(tǒng)，如開關(guān)電源、儲能變換器及高頻逆變結(jié)構(gòu)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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