STP35N65DM2-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:30A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:94mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為30A，漏源電壓耐受能力達650V，導通電阻為94mΩ，柵源驅動電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具備優異的高溫穩定性和快速開關特性，適用于高效率、高頻率的電力電子系統，如通信電源、光伏逆變器、不間斷電源及各類高效能開關轉換器，在提升系統效率與功率密度方面表現突出。
