SCT3030ARC14_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:99A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:26mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET的連續(xù)漏極電流為99A，漏源擊穿電壓VDSS達(dá)650V，導(dǎo)通電阻RDS(ON)為26mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。器件結(jié)合高耐壓能力與極低導(dǎo)通損耗，在高頻開關(guān)條件下仍能維持高效運(yùn)行，適用于對轉(zhuǎn)換效率和熱管理要求嚴(yán)苛的電源系統(tǒng)、可再生能源并網(wǎng)設(shè)備以及高密度電能變換裝置。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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