NVBG015N065SC1-HXY_TO-263-7L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：ID:210A 參數2：VDSS:750V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有210A的連續漏極電流（ID）和750V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至11mΩ，柵源驅動電壓范圍為-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具備優異的高頻開關特性和高溫工作能力，適用于高效率、高功率密度的電源轉換場景。其低導通損耗與快速開關響應有助于提升系統整體能效，同時減少散熱設計負擔，適合對性能和可靠性要求較高的電力電子應用。
