IMZA65R083M1HXKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有36A的連續(xù)漏極電流與650V的漏源擊穿電壓，導(dǎo)通電阻典型值為75mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內(nèi)穩(wěn)定工作。器件采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高溫性能與開關(guān)特性，適用于高效率、高頻率的電力轉(zhuǎn)換場景。其低導(dǎo)通損耗和快速開關(guān)能力有助于提升系統(tǒng)整體能效，適合用于對體積與熱管理有較高要求的電源模塊及高頻逆變結(jié)構(gòu)中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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