SIHG64N65E-GE3-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續漏極電流為55A，漏源電壓額定值為650V，導通電阻為58mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，在高頻開關應用中展現出較低的導通與開關損耗，適用于高效率電源、可再生能源接入設備及高功率密度的電力電子系統。其低RDS(on)有助于降低導通階段的功率耗散，而寬VGS范圍則增強了與多種驅動電路的兼容性，提升系統運行的可靠性與穩定性。
