IXTP12N65X2M-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:9A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:320mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS），在25℃環(huán)境下可承載9A的連續(xù)漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為320mΩ。其柵源電壓（VGS）工作范圍為-8V至@0V，確保在多種驅動條件下穩(wěn)定運行。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關應用中表現出較低的開關損耗和良好的熱穩(wěn)定性，適用于對能效和緊湊布局有較高要求的電源轉換系統。
