TK110Z65Z,S1F_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有36A的連續(xù)漏極電流和650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為75mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高擊穿場強與熱導率優(yōu)勢，在高頻開關條件下仍能保持較低的導通與開關損耗，適用于對效率、熱性能及空間布局要求較高的電源轉換系統。其參數特性支持在嚴苛電氣環(huán)境中實現穩(wěn)定可靠的運行。
