IPW65R190C7XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:25A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的連續(xù)漏極電流為25A，漏源擊穿電壓為800V，導(dǎo)通電阻為165mΩ，柵源電壓工作范圍為-8V至@0V。器件基于碳化硅工藝，具備高耐壓與低導(dǎo)通損耗特性，適用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其寬柵壓范圍提升了驅(qū)動電路的適應(yīng)性，同時支持在較高結(jié)溫下穩(wěn)定運行，適合對體積與能效有較高要求的電力電子應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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