IPP65R190CFDAAKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管具備800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至165mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)能效。柵源電壓范圍為-10V至@5V，確保器件在驅(qū)動(dòng)過(guò)程中的穩(wěn)定性和可靠性。基于碳化硅材料的物理特性，該器件展現(xiàn)出優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、高耐壓能力以及快速開(kāi)關(guān)響應(yīng)。適用于高功率密度電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如高效AC-DC/DC-DC變換器、高壓逆變裝置、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)模塊以及對(duì)熱性能和電氣性能要求較高的電力電子設(shè)備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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