SISA10BDN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:100A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:2.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET支持100A的連續(xù)漏極電流（ID），漏源擊穿電壓（VDSS）為30V，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至2.5mΩ。憑借極低的導(dǎo)通阻抗，器件在高電流應(yīng)用中可有效抑制功率損耗與溫升，適用于高效電源轉(zhuǎn)換、大電流開關(guān)電路及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。其電氣特性有利于提升系統(tǒng)整體效率，并在緊湊型設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)良好的熱管理表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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