BSC070N10NS3GATMA1_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有75A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至6.4毫歐。器件采用標準封裝結構，適用于高效率電源轉換、電機驅動及各類開關應用場合。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統整體能效，同時支持大電流工作條件下的穩定運行。該MOSFET在高頻開關環境中表現出良好的動態特性，適合對功率密度和熱管理有較高要求的電子系統。
