MJF11N65_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備15A的連續(xù)漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為260mΩ，柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關(guān)應用中表現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗和良好的熱穩(wěn)定性，適用于高效率電源、光伏逆變系統(tǒng)及小型化電力轉(zhuǎn)換裝置。其寬柵壓范圍有助于提升驅(qū)動電路的適配靈活性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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