NVMFS5C450NWFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:130A 參數(shù)2：VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:2.8mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備40V的漏源擊穿電壓（VDSS）、130A的連續(xù)漏極電流（ID），以及低至2.8毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）。其極低的導(dǎo)通電阻有效降低導(dǎo)通損耗，在高電流工作條件下仍能維持較低溫升。適用于大電流電源管理、高效DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池供電系統(tǒng)及各類需要高效率開關(guān)操作的電子設(shè)備中，能夠在高頻開關(guān)應(yīng)用中提供穩(wěn)定的電氣性能和可靠的運(yùn)行表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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