IPD70N03S4L04ATMA1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有100A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及3.8毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。其低導通電阻有助于在大電流工作條件下有效抑制功耗，提升系統效率并簡化熱管理設計。適用于高功率密度的電源架構，如多相穩壓模塊、電池管理系統及高效直流轉換電路，在持續高負載或高頻開關應用中可維持良好的電氣性能與穩定性。
