GC11N65K_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備15A的漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻為260mΩ，柵源電壓工作范圍為-5V至!6V。器件利用碳化硅材料的高擊穿場強和低導通損耗特性，在高頻開關應用中表現出優異的效率和熱性能。適用于對轉換效率、響應速度及系統緊湊性有明確需求的電源管理、可再生能源接入以及高密度電力電子模塊等場景。
