SQS124ELNW-T1_GE3-HXY_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:100A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:2.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）支持100A的連續(xù)漏極電流，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至2.5毫歐。其極低的導(dǎo)通電阻有效降低了導(dǎo)通損耗，有利于提升整體能效并簡(jiǎn)化熱設(shè)計(jì)。器件適用于高電流、高效率要求的電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景，如服務(wù)器供電模塊、高性能計(jì)算設(shè)備及便攜式大功率儲(chǔ)能系統(tǒng)等，在高頻開關(guān)條件下仍可維持穩(wěn)定工作特性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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