STFU9N65M2_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:5.1A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:820mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）、5.1A的連續(xù)漏極電流（ID）以及820mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）。其柵源電壓（VGS）范圍為-8V至@0V，適用于多種驅(qū)動條件。得益于碳化硅材料特性，器件在高頻開關(guān)操作中表現(xiàn)出較低的損耗和良好的熱穩(wěn)定性，適合用于高效率電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)以及對體積和散熱有較高要求的電力電子設(shè)備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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