LSG65R380GT_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買(mǎi)>-------
該N溝道碳化硅MOSFET具備15A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導(dǎo)通電阻典型值為260mΩ。柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-5V至!6V，適用于對(duì)效率和開(kāi)關(guān)速度要求較高的電力電子系統(tǒng)。器件采用碳化硅材料，具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和低開(kāi)關(guān)損耗特性，適合在高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景中使用，可有效提升系統(tǒng)整體能效與功率密度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
