PJD8NA65A_L2_00001_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:11A 參數(shù)2：VDSS:900V 參數(shù)3：RDON:712mR 參數(shù)4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具備900V的漏源擊穿電壓（VDSS）和11A的連續(xù)漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為712mΩ，柵源電壓范圍為-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高電壓應用中展現(xiàn)出較低的開關(guān)損耗和良好的熱穩(wěn)定性，適用于高頻開關(guān)電源、光伏逆變器及高效率電能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等場景，可在較高工作溫度下維持可靠性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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