SIRA16DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5.7mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具備60A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至5.7毫歐，適用于對導(dǎo)通損耗和熱管理要求較高的電源應(yīng)用。其低RDS(ON)有助于在高電流工作條件下維持較低的功耗，提升系統(tǒng)效率。典型應(yīng)用場景包括開關(guān)電源、電池供電設(shè)備中的功率開關(guān)以及需要高效能功率轉(zhuǎn)換的緊湊型電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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