DMN3009LFVWQ-7_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備70A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為3.5毫歐。在高電流工作條件下，其較低的導通電阻有助于有效抑制功率損耗和溫升，提升整體能效。適用于對效率和熱性能有較高要求的電源模塊、電機驅動電路、電池供電設備以及各類高密度電力電子系統。
