AON7514_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）以及4毫歐的導通電阻（RDS(ON)）。低導通電阻使其在大電流工作條件下顯著降低導通損耗，提升系統效率。適用于高效率電源轉換、電機驅動、服務器供電及各類需要頻繁開關操作的電子系統中，能夠在緊湊布局下維持良好的熱穩定性和電氣性能。
