GSFP0976_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:75A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:7.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET器件具有75A的連續漏極電流（ID）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS），在導通狀態下呈現低至7.3毫歐的導通電阻（RDS(ON)），柵源驅動電壓（VGS）最高可達20V。其低導通電阻有助于減少功率損耗，提升系統效率，適用于對開關速度和能效要求較高的電源轉換、電機驅動及高頻開關電路等場景。器件結構支持高電流承載能力，同時保持良好的熱穩定性與可靠性。
