BUK624R5-30C_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:100A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.8mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有100A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為3.8毫歐。在典型工作條件下，其低導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)整體效率。適用于高電流負(fù)載的電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及高頻開關(guān)電路等應(yīng)用場(chǎng)合。器件在保持高電流處理能力的同時(shí)，有助于優(yōu)化熱性能與能效，適合對(duì)功率密度和可靠性有較高要求的電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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