AOD6N50_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）為1300毫歐。器件適用于中高電壓開關場景，能夠在保證穩定導通的同時有效控制功耗。其N溝道結構便于在正向驅動條件下實現高效開關操作，適合用于電源管理、適配器、照明驅動及各類通用電子設備中的功率轉換與控制環節。
