NTMFS4839NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道MOSFET額定漏極電流（ID）為80A，最大漏源電壓（VDSS）為30V，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）典型值為4.7毫歐，柵源電壓（VGS）最高支持20V。其低導(dǎo)通電阻有助于在大電流工作條件下有效降低功率損耗和溫升，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)、電機控制及各類高電流開關(guān)電路。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化了開關(guān)特性，適合對體積和熱性能有較高要求的電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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