SI7388DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5.7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為5.7毫歐。低導通電阻有助于在高電流工作條件下顯著降低功率損耗與溫升，提升系統效率。器件適用于對能效和熱性能要求較高的中低電壓開關應用，例如電源轉換、電機驅動、電池管理系統及各類電子負載控制電路，能夠可靠支持頻繁開關操作與持續大電流傳輸。
