TSM080N03EPQ56 RLG_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有50A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）為6.5毫歐。其低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，在高電流工作條件下維持較低溫升。適用于對效率和熱性能要求較高的開關電源、電機驅動以及各類高密度功率電子系統中的功率開關應用。
