IRFR430BTM-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）為1300毫歐。器件適用于中等功率開關場景，其高耐壓特性使其能夠在較高電壓環境下穩定工作，而較低的導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體效率。由于采用N溝道結構，該MOSFET在驅動電路設計上具備良好的兼容性，適合用于電源管理、電機驅動及各類電子開關應用中。
