PJD5NA50_L2_00001_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:5A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:1300mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為500V，連續漏極電流（ID）為5A，導通電阻（RDS(ON)）為1300毫歐。器件適用于需要較高耐壓能力的開關電路，在電源轉換、LED驅動、家用電器控制及各類電子設備的功率開關環節中可實現可靠運行。其參數組合在保證電壓裕量的同時，兼顧了導通損耗與熱管理的基本需求。
