PHD82NQ03LT,118_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有80A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻為5毫歐。其低RDS(ON)有助于顯著降低導(dǎo)通損耗，在高電流工作條件下仍能維持較高的效率和較低的溫升。適用于對(duì)功率密度和熱性能要求較高的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如服務(wù)器、通信設(shè)備及高性能計(jì)算平臺(tái)中的同步整流、負(fù)載開(kāi)關(guān)和DC-DC轉(zhuǎn)換模塊。器件在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中亦能保持良好的動(dòng)態(tài)特性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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