UMWIRLR8726TR_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備100A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為3.8毫歐，適用于高電流、低電壓的工作環境。在典型開關應用中，其極低的導通電阻可顯著降低功率損耗并提升整體效率。器件支持高頻操作，適合用于電源轉換、電機控制及各類需要高效能與緊湊設計的電子系統中，能夠有效優化熱管理和空間布局。
