OSG65R360DEF_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為15A，漏源電壓耐受能力達(dá)650V，導(dǎo)通電阻為260mΩ，柵源驅(qū)動電壓范圍為-5V至!6V。器件基于碳化硅材料，具備低開關(guān)損耗與高效率特性，適用于高頻開關(guān)電源、光伏逆變器、不間斷電源及高密度電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等場合，在提升系統(tǒng)整體能效和減小體積方面具有顯著優(yōu)勢。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
