SIRA06DDP-T1-UE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:150A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:1.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備150A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻僅為1.4毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。其超低導通電阻有效降低了導通損耗，在大電流工作條件下仍能維持較低溫升。適用于對效率和熱性能要求嚴苛的電源轉換、電機驅動及高功率負載開關等場景，尤其適合需要高密度布局與高效能表現的電子系統。
