AON7200_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:45A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有45A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻為6毫歐，柵源驅(qū)動電壓最高可達(dá)20V。低RDS(ON)有助于在高負(fù)載條件下減少導(dǎo)通損耗，提升整體能效。適用于對功率密度和熱性能有較高要求的應(yīng)用場景，如高性能計算設(shè)備、多相電源模塊、便攜式儲能系統(tǒng)及高效DC-DC轉(zhuǎn)換器等。其電氣特性支持穩(wěn)定可靠的高頻開關(guān)操作，便于在緊湊型電路布局中實現(xiàn)優(yōu)化設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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