BSC030N04NSGATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:130A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:2.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備130A的連續漏極電流（ID）和40V的漏源電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為2.8毫歐。低導通電阻有助于減少導通狀態下的功率損耗，提升系統效率。器件適用于高電流、高頻率工作的電源轉換電路，如開關電源、同步整流模塊及電機控制等場合，能夠在緊湊布局中實現良好的熱性能與電氣性能。
