BSC057N03MSGATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至4.7mΩ，柵源電壓（VGS）最高支持20V。其低導通電阻有助于在大電流工作條件下顯著減少功率損耗，提升系統效率。適用于高效率電源管理、電機控制、電池供電設備及各類需要頻繁開關操作的電子系統，能夠在緊湊布局中維持良好的熱性能與電氣穩定性。
