PXN5R4-30QLJ-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:55A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備55A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時，導通電阻（RDS(ON)）典型值為4.7mΩ。低導通電阻有助于降低導通損耗，提升整體能效，適用于高電流開關、電源轉換及電機控制等電路。其電氣特性支持快速開關操作，適合對效率和熱管理有較高要求的緊湊型電子系統。
