IRFHM831TRPBF-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:45A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備45A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為6毫歐，最大柵源電壓（VGS）為20V。低導通電阻有助于降低導通狀態(tài)下的功率損耗，提升整體能效。器件適用于高頻開關(guān)場景，如電源轉(zhuǎn)換、電機控制及各類高效能電子設備中的功率管理模塊，在緊湊型設計中可有效支持高電流密度與良好熱性能的實現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
