PXN4R7-30QLJ-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至4毫歐。器件適用于對導通損耗和效率要求較高的電源管理場景，其低阻特性有助于減少發熱并提升系統整體能效。由于具備較高的電流承載能力與較低的導通壓降，該MOSFET可有效支持高頻率開關操作，在各類電子設備的功率轉換與控制電路中發揮關鍵作用。
