DMT3006LFV-7-HXY_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:45A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備45A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），在柵源電壓（VGS）為20V時(shí)，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）典型值為6毫歐。低導(dǎo)通電阻有助于降低導(dǎo)通損耗，提升整體能效，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制及高頻開(kāi)關(guān)電路等場(chǎng)合。其電氣特性適合需要大電流承載能力和快速開(kāi)關(guān)響應(yīng)的電子系統(tǒng)，便于在緊湊布局中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的功率管理。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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